اگزینوس 2600 سامسونگ در آزمون‌های دمایی درخشید

در نسل‌های گذشته، محدودسازی حرارتی اگزینوس 2600 به‌عنوان یکی از نگرانی‌های اصلی کاربران مطرح می‌شد؛ مسئله‌ای که مستقیماً بر پایداری عملکرد در پردازش‌های سنگین و اجرای بازی‌ها اثر می‌گذاشت. اکنون که سری گلکسی S26 سامسونگ معرفی شده، گروهی از علاقه‌مندان فناوری به گوشی‌های جدید و همچنین تراشه نسبتاً مرموز اگزینوس 2600 که در برخی مناطق در مدل پایه گلکسی S26 و گلکسی S26 پلاس به‌کار رفته دسترسی پیدا کرده‌اند.

تنها چند ساعت پس از جمع‌بندی نهایی بحث مقایسه عملکرد میان اگزینوس 2600 و اسنپدراگون 8 الیت نسل 5، یک کانال یوتیوبی حوزه فناوری توانست توانمندی دمایی جدیدترین پردازنده پرچمدار سامسونگ را نمایش دهد؛ نتیجه برای کاربران کاملاً امیدوارکننده ارزیابی می‌شود.

حل کامل مشکل محدودسازی حرارتی؛ سامسونگ در اگزینوس 2600 مشکل heat island را برطرف کرد

کانال Vật Vờ Studio’s Long Ngong با اجرای آزمون‌هایی مانند آنتوتو، تری‌دی‌مارک و آزمون محدودسازی پردازنده، گلکسی S26 و گلکسی S26 پلاس را تحت فشار قرار داد. برای ارزیابی عملکرد دمایی اگزینوس 2600، سه بازی League of Legends: Wild Thrift، Genshin Impact و Honkai به‌صورت متوالی با بالاترین تنظیمات گرافیکی اجرا شدند؛ دمای محیط در طول آزمون حدود 26 درجه سانتی‌گراد ثابت ماند.

در اجرای League of Legends، دمای مدل پایه گلکسی S26 به‌طور میانگین حدود 32 درجه سانتی‌گراد ثبت شد. طی بیش از 15 دقیقه اجرای Genshin Impact روی گلکسی S26 پلاس، حداکثر دمای سطح جلویی دستگاه حدود 38 درجه سانتی‌گراد بود؛ در بخش پشتی نیز دما بین 37 تا 37.5 درجه سانتی‌گراد نوسان داشت. سپس در اجرای Honkai روی گلکسی S26 پلاس، با وجود افت محسوس نرخ فریم در برخی لحظات، حداکثر دمای بخش جلویی تنها به 39 درجه سانتی‌گراد رسید؛ بیشینه دمای ثبت‌شده در پشت دستگاه نیز اندکی بالاتر از 38 درجه سانتی‌گراد گزارش شد.

این نتایج برای کاربرانی که طی نسل‌های گذشته با عملکرد دمایی نامطلوب تراشه‌های اگزینوس مواجه بودند، اهمیت بالایی دارد. سامسونگ ارتقای عملکرد دمایی اگزینوس 2600 را از سه مسیر اصلی محقق کرد.

نخست، اگزینوس 2600 نخستین تراشه سامسونگ مبتنی بر فرآیند ساخت 2 نانومتری Gate-All-Around (GAA) محسوب می‌شود؛ معماری ترانزیستوری سه‌بعدی که در آن گیت به‌طور کامل کانال متشکل از نانولایه‌های عمودی را احاطه می‌کند و با بهبود کنترل الکترواستاتیکی، کاهش ولتاژ آستانه و افزایش بهره‌وری همراه شده است.

دوم، این تراشه از فناوری جدید FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) بهره می‌برد؛ رویکردی که با حذف بسته‌بندی مبتنی بر بسترهای سنتی و استفاده مستقیم از سطح ویفر، ابعاد کلی را کاهش می‌دهد و امکان اتصال مستقیم به سیلیکون را فراهم می‌کند؛ در نتیجه ضخامت کمتر و بازده بالاتر حاصل می‌شود. در این روش، پایانه‌های ورودی و خروجی خارج از خود تراشه نیمه‌هادی قرار گرفته و به‌جای برد مدار چاپی مرسوم روی ویفر سیلیکونی یکپارچه می‌شوند.

سوم، اگزینوس 2600 به فناوری نوآورانه Heat Path Block (HPB) مجهز شده که یک هیت‌سینک مبتنی بر مس با تماس مستقیم با پردازنده محسوب می‌شود؛ با انتقال حافظه رم به بخش کناری، مقاومت حرارتی تا 30 درصد کاهش یافته است.

در مجموع، سامسونگ با ترکیب نود پیشرفته ساخت تراشه، بسته‌بندی نوین و طراحی خنک‌کننده جدید، مشکل محدودسازی حرارتی که نسل‌های پیشین اگزینوس را تحت تاثیر قرار می‌داد به‌طور کامل مهار کرده است.